產(chǎn)品分類
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      IXYS IXFN110N85X MOSFET

      訂 貨 號(hào):IXFN110N85X      品牌:IXYS/艾賽思

      庫存數(shù)量:10             品牌屬性:

      RoHS:符合

      市 場(chǎng) 價(jià):¥0.00          品 牌 商:¥0.00

      -
      +

      公司基本資料信息

      聯(lián)系人:(女士)
      電 話:
      手 機(jī):
      地 址:
      通 訊:    
      主營產(chǎn)品:
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      IXYS IXFN110N85X MOSFET
      產(chǎn)品詳細(xì)信息

      850V 超結(jié) X 類功率 MOSFET,具有快速體二極管,代表 IXYS 公司新推出的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品系列。這些堅(jiān)固耐用的設(shè)備具有行業(yè)內(nèi)最低通態(tài)電阻,在高壓功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)非常高的功率密度。采用電荷補(bǔ)償原理和專有工藝技術(shù)開發(fā)而成,全新的 850V 設(shè)備具有最低通態(tài)電阻(例如,SOT-227 封裝為 33 毫歐,PLUS264 為 41 毫歐),并具有低柵極電荷和卓越的 dv/dt 性能。

      超低接通電阻 RDS(接通)和柵極電荷 Qg
      快速體二極管
      dv/dt 穩(wěn)定
      雪崩等級(jí)
      低封裝電感
      國際標(biāo)準(zhǔn)封裝


      屬性 數(shù)值
      通道類型 N
      最大連續(xù)漏極電流 110 A
      最大漏源電壓 850 V
      封裝類型 SOT227
      安裝類型 表面貼裝
      引腳數(shù)目 4
      最大漏源電阻值 33 mΩ
      通道模式 增強(qiáng)
      最大柵閾值電壓 5.5V
      最小柵閾值電壓 3.5V
      最大功率耗散 1.17 kW
      晶體管配置
      最大柵源電壓 ±30 V
      每片芯片元件數(shù)目 1
      寬度 25.07mm
      長(zhǎng)度 38.23mm
      典型柵極電荷@Vgs 425 @ 10 V nC
      最高工作溫度 +150 °C
      暫無
      正在載入評(píng)論詳細(xì)...
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