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Infineon 的 OptiMOS PD 功率 MOSFET 60 V 設計用于 USB-PD 和適配器應用。該產品提供快速上升和優(yōu)化的交付時間。用于功率輸送的 OptiMOS 低壓 MOSFET 使設計能夠減少部件,從而降低 BOM 成本。OptiMOS PD 采用緊湊輕便的封裝,提供優(yōu)質產品。
邏輯級別可用性
極佳的熱行為
通過 100% 雪崩測試
| 屬性 | 數(shù)值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續(xù)漏極電流 | 57 A |
| 最大漏源電壓 | 60 V |
| 封裝類型 | SO8 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數(shù)目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 0.0069 O , 0.0089 O |
| 最大柵閾值電壓 | 2.3V |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
| 晶體管材料 | Si |