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Microchip VP2206 系列是增強型 (常閉) 晶體管,采用垂直 DMOS 結(jié)構(gòu)和 Supertex 久經(jīng)考驗的硅柵極制造工藝。該組合可使設(shè)備具有雙極性晶體管的功率處理能力,以及 MOS 設(shè)備固有的高輸入阻抗和正溫度系數(shù)。所有 MOS 結(jié)構(gòu)的特性確保該設(shè)備能夠免受熱耗散和熱感應(yīng)次級擊穿的影響。這些垂直 DMOS FET 特別適用于需要極低閾值電壓,高擊穿電壓,高輸入阻抗,低輸入電容和快速切換速度的各種切換和放大應(yīng)用。
它具有 " 無二級故障 "
它具有低功率驅(qū)動要求
它提供易于并聯(lián),低 CISS 和快速切換速度
它具有高輸入阻抗和高增益,具有出色的 熱穩(wěn)定性
它具有一體式源極 - 漏極二極管
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | P |
最大連續(xù)漏極電流 | 643 mA |
最大漏源電壓 | 60 V |
封裝類型 | TO-92 |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 1.5. Ω |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | 3.5V |
晶體管材料 | 硅 |