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      Microchip VP2206N3-G MOSFET

      訂 貨 號:VP2206N3-G      品牌:Microchip

      庫存數(shù)量:10             品牌屬性:

      RoHS:符合

      市 場 價:¥0.00          品 牌 商:¥0.00

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      公司基本資料信息

      聯(lián)系人:(女士)
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      Microchip VP2206N3-G MOSFET
      產(chǎn)品詳細(xì)信息

      Microchip VP2206 系列是增強型 (常閉) 晶體管,采用垂直 DMOS 結(jié)構(gòu)和 Supertex 久經(jīng)考驗的硅柵極制造工藝。該組合可使設(shè)備具有雙極性晶體管的功率處理能力,以及 MOS 設(shè)備固有的高輸入阻抗和正溫度系數(shù)。所有 MOS 結(jié)構(gòu)的特性確保該設(shè)備能夠免受熱耗散和熱感應(yīng)次級擊穿的影響。這些垂直 DMOS FET 特別適用于需要極低閾值電壓,高擊穿電壓,高輸入阻抗,低輸入電容和快速切換速度的各種切換和放大應(yīng)用。

      它具有 " 無二級故障 "
      它具有低功率驅(qū)動要求
      它提供易于并聯(lián),低 CISS 和快速切換速度
      它具有高輸入阻抗和高增益,具有出色的 熱穩(wěn)定性
      它具有一體式源極 - 漏極二極管


      屬性 數(shù)值
      通道類型 P
      最大連續(xù)漏極電流 643 mA
      最大漏源電壓 60 V
      封裝類型 TO-92
      安裝類型 表面貼裝
      引腳數(shù)目 3
      最大漏源電阻值 1.5. Ω
      通道模式 增強
      最大柵閾值電壓 3.5V
      晶體管材料
      暫無
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