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訂 貨 號(hào):IPB65R110CFDAATMA1 品牌:英飛凌_Infineon
庫(kù)存數(shù)量:10 品牌屬性:
RoHS:符合
市 場(chǎng) 價(jià):¥0.00 品 牌 商:¥0.00
Infineon 設(shè)計(jì)是一項(xiàng)革命性的高電壓功率功率功率功率半導(dǎo)體技術(shù)、符合超級(jí)連接( sj )原理、由 Infineon 技術(shù)開創(chuàng)。600V cool mos ? C7 系列結(jié)合了領(lǐng)先的 sj mosfet 供應(yīng)商的經(jīng)驗(yàn)和高級(jí)創(chuàng)新。600V C7 是使用 rds (接通) * a 低于 1Ohm * mm2 的第一項(xiàng)技術(shù)。
超快主體二極管
| 屬性 | 數(shù)值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續(xù)漏極電流 | 31.2 A |
| 最大漏源電壓 | 650 V |
| 封裝類型 | Pg 至 263 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數(shù)目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 0.11. Ω |
| 通道模式 | 增強(qiáng) |
| 最大柵閾值電壓 | 4.5V |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
| 晶體管材料 | 硅 |