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      Infineon IPD60N10S4L12ATMA1 MOSFET

      訂 貨 號(hào):IPD60N10S4L12ATMA1      品牌:英飛凌_Infineon

      庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:

      RoHS:符合

      市 場(chǎng) 價(jià):¥0.00          品 牌 商:¥0.00

      -
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      公司基本資料信息

      聯(lián)系人:(女士)
      電 話:
      手 機(jī):
      地 址:
      通 訊:    
      主營(yíng)產(chǎn)品:
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      Infineon IPD60N10S4L12ATMA1 MOSFET
      產(chǎn)品詳細(xì)信息

      Infineon mosfet 設(shè)計(jì)又聞名于“金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管”。MOSFET 是由電容器控制的晶體管設(shè)備。“場(chǎng)效應(yīng)”代表設(shè)備受電壓控制。MOSFET 的作用是控制從源極到漏極端子的電流。

      綠色產(chǎn)品(符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn))
      符合 MSL1 - 260°c Peak aec Q101 標(biāo)準(zhǔn)
      用于汽車應(yīng)用的功率 mosfet


      屬性 數(shù)值
      通道類型 N
      最大連續(xù)漏極電流 60 A
      最大漏源電壓 100 V
      封裝類型 Pg - TO252 - 3 - 313
      安裝類型 表面貼裝
      引腳數(shù)目 3
      最大漏源電阻值 0.012. Ω
      通道模式 增強(qiáng)
      最大柵閾值電壓 2.1V
      每片芯片元件數(shù)目 1
      晶體管材料
      暫無(wú)
      正在載入評(píng)論詳細(xì)...
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