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Infineon IMW120R030M1HXKSA1 MOSFET 與傳統(tǒng)基于硅 (Si) 的開關 (如 IGBT 和 MOSFET) 相比, SiC MOSFET 具有一系列優(yōu)勢。這些包括 1200 V 開關中的最低柵極電荷和器件電容水平,內部防換向主體二極管無反向恢復損耗,溫度獨立的低切換損耗和無閾值通態(tài)特性。
非常低的切換損耗
無閾值開啟狀態(tài)特性
寬柵源電壓范圍
基準柵極閾值電壓, VGS (th) = 4.5 V
0V 關閉柵極電壓,用于輕松簡單的柵極驅動
完全可控制 dV/dt
堅固的主體二極管,用于硬換向
溫度無關的關閉開關損耗
| 屬性 | 數(shù)值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續(xù)漏極電流 | 56 A |
| 最大漏源電壓 | 1200 V |
| 封裝類型 | PG-TO247-3 |
| 安裝類型 | 通孔 |