英飛凌 OptiMOS? 5 N 溝道功率 MOSFET 具有 60 V 漏源電壓（VDS）和 101 A 漏電流（ID）。邏輯電平非常適合無線充電、適配器和電信應用。設備的低柵極充電（Qg）可減少切換損耗，不會影響傳導損耗。品質因數改進，允許在高切換頻率下操作。此外，邏輯電平驅動器提供低柵極閾值電壓（V GS（th）），允許在 5 V 條件下直接從微控制器驅動 MOSFET。
經優化，適合高性能 SMPS（例如，同步錄音）
100% 通過雪崩測試
卓越的熱阻
N 溝道
針對目標應用，符合 JEDEC1 標準
無鉛引線鍍層
符合 RoHS
符合 IEC61249-2-21 無鹵素
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 101 A |
| 最大漏源電壓 | 60 V |
| 封裝類型 | PG-TDSON |
| 安裝類型 | 表面安裝器件 |
