Infineon 600V cool mos ? C7 超接點（ sj ） mosfet 系列的關閉損耗（ e oss ）比 cool mos ? cp 減少 ～50% ，在 pfc 、 ttf 和其他硬切換拓撲結構中提供卓越的性能。IPL60R185C7 還是高功率密度充電器設計的完美匹配。效率和 tco （總擁有成本）應用，如超數據中心和高效電信整流器 (96%)>，得益于 cool mos ? C7 提供的更高效率。可以在 PFC 拓撲中實現 0.3% 至 0.7% 的增益，在 LLC 中實現 0.1% 的增益。例如，對于 2.5kw 服務器 psu ，使用采用 to-247 4pin 封裝的 600V cool mos ? C7 sj 型功率半導體器件， psu 能量損耗可降低 ～10% 的能耗。
減小開關損耗參數，如 Q G、C oss、E oss
同類最佳的品質因數 Q G*R DS（接通）
增加切換頻率
全球最佳的 R（接通）*A
堅固的體二極管
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 13 A |
| 最大漏源電壓 | 600 V |
| 封裝類型 | D2PAK (TO-263) |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 0.18 Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 晶體管材料 | Si |
