Infineon CoolSiC 1200 V、20 mΩ SiC MOSFET 采用 TO247-3 封裝，采用最先進(jìn)的溝槽半導(dǎo)體工藝，是性能與可靠性的良好結(jié)合，包括在 1200 V 開(kāi)關(guān)中看到的最低柵極電荷和設(shè)備電容水平，內(nèi)部換向證明體二極管無(wú)反向恢復(fù)損耗。CoolSiC MOSFET 是硬開(kāi)關(guān)和諧振開(kāi)關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的理想選擇，如功率因素校正（PFC）電路、雙向拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器或 DC-AC 逆變器。

VDSS - T - 25°C 時(shí)為 1200 V
IDCC - T - 25°C 時(shí)為 98 A
RDS（on） - VGS - 18 V、T - 25°C 時(shí)為 19 MΩ
非常低的切換損耗
短路耐受時(shí)間 3 微秒
基準(zhǔn)門(mén)限電壓，VGS（th） - 4.2 V
對(duì)寄生性開(kāi)啟的穩(wěn)健性，可應(yīng)用 0V 的關(guān)斷門(mén)電壓
用于硬換向的穩(wěn)健體二極管
XT 互連技術(shù)實(shí)現(xiàn)了同類(lèi)最佳的熱性能