當前位置: 首頁 > 工業(yè)電子產(chǎn)品 > 無源元器件 > MOSFET > NMOSFET
+比較





此 MOSFET 設(shè)計旨在最大程度減少通態(tài)電阻(RDS(接通))并保持卓越的切換性能,使其特別適用于高效率電源管理應(yīng)用。
額定溫度值為 +175°C - 特別適用于高環(huán)境溫度環(huán)境
低接通電阻
快速切換速度
低輸入/輸出泄漏
無鉛表面
無鹵素和無銻。“綠色”設(shè)備
應(yīng)用
電動機控制
背光
直流 - 直流轉(zhuǎn)換器
打印機設(shè)備
| 屬性 | 數(shù)值 |
|---|---|
| 通道類型 | P |
| 最大連續(xù)漏極電流 | 35(狀態(tài))A,50(穩(wěn)定)A |
| 最大漏源電壓 | 40 V |
| 封裝類型 | TO-252 (DPAK) |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數(shù)目 | 3 + Tab |
| 最大漏源電阻值 | 26 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 3V |
| 最小柵閾值電壓 | 1V |
| 最大功率耗散 | 3.6 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | ±20 V |
| 長度 | 6.7mm |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
| 寬度 | 6.2mm |
| 最高工作溫度 | +175 °C |
| 典型柵極電荷@Vgs | 18.7 nC @ 10V |