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Infineon 600V CoolMOS P7 超結(jié) MOSFET 是 600V CoolMOS ? P6 系列的后繼產(chǎn)品。它繼續(xù)在設(shè)計過程中兼顧對高效率的需求和易用性。杰出 RonxA 和 CoolMOS ?第 7 代平臺固有的低柵極電荷 (QG) 可確保其高效率。
600V P7 可啟用出色的 FOM RDS (接通) xEoss 和 RDS (接通) xQG
集成柵極電阻器 RG
堅固的體二極管
廣泛的產(chǎn)品組合,采用通孔和表面安裝封裝
提供標準級和工業(yè)級部件
集成 RG 可降低 MOSFET 振蕩靈敏度
MOSFET 適用于硬和諧振切換拓撲,如 PFC 和 LLC
在 LLC 拓撲結(jié)構(gòu)中,主體二極管硬換向期間具有出色的堅固性
適用于各種終端應(yīng)用和輸出功率
提供的部件適用于消費和工業(yè)應(yīng)用
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 386 A |
最大漏源電壓 | 650 V |
封裝類型 | PG-to 247-3. |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 0.024. Ω |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | 4V |
每片芯片元件數(shù)目 | 2 |