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      Infineon IPW60R024P7XKSA1 MOSFET

      訂 貨 號:IPW60R024P7XKSA1      品牌:英飛凌_Infineon

      庫存數(shù)量:10             品牌屬性:

      RoHS:符合

      市 場 價:¥0.00          品 牌 商:¥0.00

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      公司基本資料信息

      聯(lián)系人:(女士)
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      Infineon IPW60R024P7XKSA1 MOSFET
      產(chǎn)品詳細信息

      Infineon 600V CoolMOS P7 超結(jié) MOSFET 是 600V CoolMOS ? P6 系列的后繼產(chǎn)品。它繼續(xù)在設(shè)計過程中兼顧對高效率的需求和易用性。杰出 RonxA 和 CoolMOS ?第 7 代平臺固有的低柵極電荷 (QG) 可確保其高效率。

      600V P7 可啟用出色的 FOM RDS (接通) xEoss 和 RDS (接通) xQG
      集成柵極電阻器 RG
      堅固的體二極管
      廣泛的產(chǎn)品組合,采用通孔和表面安裝封裝
      提供標準級和工業(yè)級部件
      集成 RG 可降低 MOSFET 振蕩靈敏度
      MOSFET 適用于硬和諧振切換拓撲,如 PFC 和 LLC
      在 LLC 拓撲結(jié)構(gòu)中,主體二極管硬換向期間具有出色的堅固性
      適用于各種終端應(yīng)用和輸出功率
      提供的部件適用于消費和工業(yè)應(yīng)用


      屬性 數(shù)值
      通道類型 N
      最大連續(xù)漏極電流 386 A
      最大漏源電壓 650 V
      封裝類型 PG-to 247-3.
      安裝類型 表面貼裝
      引腳數(shù)目 3
      最大漏源電阻值 0.024. Ω
      通道模式 增強
      最大柵閾值電壓 4V
      每片芯片元件數(shù)目 2
      暫無
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