Vishay 第三代功率 MOSFET 利用 Advanced 處理技術實現每個硅區域的低接通電阻。此優勢結合 MOSFET 電源聞名適用的快速切換速度和耐震設備設計，為設計人員提供極其高效和可靠的設備，適用于各種應用。
Advanced 工藝技術
快速切換
完全耐雪崩等級
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | P |
| 最大連續漏極電流 | 3.6 A |
| 最大漏源電壓 | 200 V |
| 封裝類型 | DPAK (TO-252) |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 1.5 Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最小柵閾值電壓 | 2V |
| 最大功率耗散 | 2.5 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | -20 V、+20 V |
| 寬度 | 6.22mm |
| 典型柵極電荷@Vgs | 20 nC @ 10 V |
| 長度 | 6.73mm |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 晶體管材料 | Si |
