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      Infineon IPD180N10N3 G MOSFET

      訂 貨 號:IPD180N10N3 G      品牌:英飛凌_Infineon

      庫存數(shù)量:10             品牌屬性:

      RoHS:符合

      市 場 價:¥0.00          品 牌 商:¥0.00

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      公司基本資料信息

      聯(lián)系人:(女士)
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      Infineon IPD180N10N3 G MOSFET
      產(chǎn)品詳細信息

      Infineon OptiMOS?3 功率 MOSFET,100V 及以上

      MOSFET 晶體管,Infineon

      Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設備組合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能,實現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質量和增強型保護功能的設計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標準的 MOSFET。


      屬性 數(shù)值
      通道類型 N
      最大連續(xù)漏極電流 43 A
      最大漏源電壓 100 V
      封裝類型 DPAK (TO-252)
      安裝類型 表面貼裝
      引腳數(shù)目 3
      最大漏源電阻值 33 mΩ
      通道模式 增強
      最大柵閾值電壓 3.5V
      最小柵閾值電壓 2V
      最大功率耗散 71 W
      晶體管配置
      最大柵源電壓 -20 V、+20 V
      典型柵極電荷@Vgs 19 nC @ 10 V
      長度 6.73mm
      晶體管材料 Si
      最高工作溫度 +175 °C
      每片芯片元件數(shù)目 1
      寬度 6.22mm
      暫無
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