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      Infineon IPD60R1K4C6ATMA1 MOSFET

      訂 貨 號:IPD60R1K4C6ATMA1      品牌:英飛凌_Infineon

      庫存數量:10             品牌屬性:

      RoHS:符合

      市 場 價:¥0.00          品 牌 商:¥0.00

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      Infineon IPD60R1K4C6ATMA1 MOSFET
      產品詳細信息

      Infineon CoolMOS?C6/C7 功率 MOSFET

      MOSFET 晶體管,Infineon

      Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設備組合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能,實現更高效率、功率密度和成本效益。需要高質量和增強型保護功能的設計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標準的 MOSFET。


      屬性 數值
      通道類型 N
      最大連續(xù)漏極電流 3.2 A
      最大漏源電壓 650 V
      封裝類型 DPAK (TO-252)
      安裝類型 表面貼裝
      引腳數目 3
      最大漏源電阻值 1.4 Ω
      通道模式 增強
      最大柵閾值電壓 3.5V
      最小柵閾值電壓 2.5V
      最大功率耗散 28.4 W
      晶體管配置
      最大柵源電壓 -30 V、+30 V
      典型柵極電荷@Vgs 9.4 nC @ 10 V
      最高工作溫度 +150 °C
      長度 6.73mm
      晶體管材料 Si
      每片芯片元件數目 1
      寬度 6.22mm
      暫無
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