產(chǎn)品分類 
         
         
        
         
      
       
      
     
      
   
      
      
    
    
    
    

   
      
     
      
        
       
         
      
         
      分類：
               
      
         
      
       
       
      
       
      
         
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      Infineon IPD30N10S3L34ATMA1 MOSFET
      
                  
      
                  
      
                      
       訂  貨 號(hào)：IPD30N10S3L34ATMA1        品牌：英飛凌_Infineon
      
                      
       庫(kù)存數(shù)量：10                    品牌屬性：
      
                      
       RoHS：符合 
      
                      
       市 場(chǎng) 價(jià)：￥0.00                 品 牌 商：￥0.00
      
                  
      
                  
      
               
      
 
               
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      公司基本資料信息
      
           
      
              
      
              聯(lián)系人：(女士) 
      
              電   話：
      
              手   機(jī)：
      
              地   址：
      
              通    訊：     
      
              
      
              主營(yíng)產(chǎn)品：
              
      
           
      
            店鋪主頁(yè)
 
      
               
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      • 替代產(chǎn)品 
        • 
                   
      • 關(guān)聯(lián)產(chǎn)品
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      • 產(chǎn)品介紹 
        • 
             
      • 產(chǎn)品屬性
        • 
             
      • 相關(guān)資料
        • 
             
      • 產(chǎn)品評(píng)價(jià)（0）
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               Infineon IPD30N10S3L34ATMA1 MOSFET
      產(chǎn)品詳細(xì)信息
      

        
        
      

            
            
                
                    
                        
      Infineon OptiMOS?T 功率 MOSFET
      
                    
                
                
                
            
                
                
                    
      
                        
                            OptiMOS? 產(chǎn)品提供高性能封裝，可處理最具挑戰(zhàn)性的應(yīng)用，在有限空間提供全部靈活性。 這些 Infineon 產(chǎn)品經(jīng)的設(shè)計(jì)符合并超過(guò)計(jì)算機(jī)應(yīng)用中更嚴(yán)格的下一代電壓調(diào)節(jié)標(biāo)準(zhǔn)的能效和功率密度要求。
         
                        
                    
      
                
                
            
                
                
                
                    
      
                        
                            N 通道 - 增強(qiáng)模式 
      符合汽車 AEC Q101 規(guī)格 
      MSL1 高達(dá) 260°C 峰值回流焊接 
      175°C 工作溫度 
      綠色產(chǎn)品（符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)） 
                        
                    
      
                
            

            
            
      
                
            
      

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      
            
        
      

        
        
      

            
            
                
                    
                        
      優(yōu)勢(shì)
      
                    
                
                
                
            
                
                
                    
      
                        
                            最大電流高達(dá) 180A
      低開(kāi)關(guān)功耗和傳導(dǎo)功率損耗，造就極高的熱效率
      穩(wěn)固的封裝，出色的品質(zhì)，高可靠性
      優(yōu)化極柵電荷總量，實(shí)現(xiàn)更小的驅(qū)動(dòng)器輸出級(jí) 
                        
                    
      
                
                
            

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      

            
            
                
                    
                        
      MOSFET 晶體管，Infineon
      
                    
                
                
                
            
                
                
                    
      
                        
                            Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能，實(shí)現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強(qiáng)型保護(hù)功能的設(shè)計(jì)獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。 
                        
                    
      
                
                
            

            
            
      
                
            
      

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      
            

            

            
        

      
            
      
                屬性
                數(shù)值
            
      
            
                
      
                    通道類型
                    N
                
      
            
                
      
                    最大連續(xù)漏極電流
                    30 A
                
      
            
                
      
                    最大漏源電壓
                    100 V
                
      
            
                
      
                    封裝類型
                    DPAK (TO-252)
                
      
            
                
      
                    安裝類型
                    表面貼裝
                
      
            
                
      
                    引腳數(shù)目
                    3
                
      
            
                
      
                    最大漏源電阻值
                    42 mΩ
                
      
            
                
      
                    通道模式
                    增強(qiáng)
                
      
            
                
      
                    最大柵閾值電壓
                    2.4V
                
      
            
                
      
                    最小柵閾值電壓
                    1.2V
                
      
            
                
      
                    最大功率耗散
                    57 W
                
      
            
                
      
                    晶體管配置
                    單
                
      
            
                
      
                    最大柵源電壓
                    -20 V、+20 V
                
      
            
                
      
                    長(zhǎng)度
                    6.5mm
                
      
            
                
      
                    寬度
                    6.22mm
                
      
            
                
      
                    晶體管材料
                    Si
                
      
            
                
      
                    典型柵極電荷@Vgs
                    24 nC @ 10 V
                
      
            
                
      
                    最高工作溫度
                    +175 °C
                
      
            
                
      
                    每片芯片元件數(shù)目
                    1
                
      
            
        
                  
      
          
      

      暫無(wú)
      
          
      
          
      
               
        
                     
                   
      
            
      
             
      

      正在載入評(píng)論詳細(xì)...
      
            
      
          
            
      
        
      
     
      
     
      
   
      
    
      



  
   
   
   
   
      
        
         
    
      
    
  






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