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      Infineon IPP60R190P6XKSA1 MOSFET

      訂 貨 號:IPP60R190P6XKSA1      品牌:英飛凌_Infineon

      庫存數量:10             品牌屬性:

      RoHS:符合

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      Infineon IPP60R190P6XKSA1 MOSFET
      產品詳細信息

      Infineon CoolMOS?E6/P6 系列功率 MOSFET

      Infineon 系列的 CoolMOS?E6 和 P6 系列 MOSFET。 這些高效率設備可用于多種應用,包括功率因數校正 (PFC)、照明和消費設備以及太陽能、電信和服務器。

      MOSFET 晶體管,Infineon

      Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設備組合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能,實現更高效率、功率密度和成本效益。需要高質量和增強型保護功能的設計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業標準的 MOSFET。


      屬性 數值
      通道類型 N
      最大連續漏極電流 20 A
      最大漏源電壓 650 V
      封裝類型 TO-220
      安裝類型 通孔
      引腳數目 3
      最大漏源電阻值 190 mΩ
      通道模式 增強
      最大柵閾值電壓 4.5V
      最小柵閾值電壓 3.5V
      最大功率耗散 151 W
      晶體管配置
      最大柵源電壓 -30 V、+30 V
      最高工作溫度 +150 °C
      寬度 4.57mm
      每片芯片元件數目 1
      典型柵極電荷@Vgs 37 nC @ 10 V
      長度 10.36mm
      晶體管材料 Si
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