Vishay 功率 MOSFET 具有低柵極電荷 Qg ，可實現簡單的驅動要求，且具有改進的柵極，雪崩和動態 dV/dt 堅固性。
工作接點和存儲溫度范圍 - 55 至 + 150°C
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 2.5 A |
| 最大漏源電壓 | 500 V |
| 封裝類型 | TO-220AB |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 3 Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最小柵閾值電壓 | 2V |
| 最大功率耗散 | 50 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | -30 V、+30 V |
| 典型柵極電荷@Vgs | 17 nC @ 10 V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 寬度 | 4.7mm |
| 晶體管材料 | Si |
| 長度 | 10.41mm |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
