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      Infineon IPB180P04P4L02ATMA1 MOSFET

      訂 貨 號:IPB180P04P4L02ATMA1      品牌:英飛凌_Infineon

      庫存數量:10             品牌屬性:

      RoHS:符合

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      Infineon IPB180P04P4L02ATMA1 MOSFET
      產品詳細信息

      Infineon OptiMOS?P P通道功率MOSFET

      Infineon OptiMOS? P通道功率MOSFET設計用于提供增強功能,以滿足高質量性能要求。功能包括超低開關損耗,通態電阻,雪崩額定值以及通過AEC認證的汽車解決方案。應用包括DC-DC,電機控制,汽車和eMobility。

      增強模式
      耐雪崩等級
      低切換和傳導功率損耗
      無鉛引線電鍍;符合RoHS標準
      標準封裝
      OptiMOS?P通道系列:溫度范圍為-55°C至+175°C

      MOSFET 晶體管,Infineon

      Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設備組合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能,實現更高效率、功率密度和成本效益。需要高質量和增強型保護功能的設計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業標準的 MOSFET。


      屬性 數值
      通道類型 P
      最大連續漏極電流 180 A
      最大漏源電壓 40 V
      封裝類型 D2PAK (TO-263)
      安裝類型 表面貼裝
      引腳數目 7
      最大漏源電阻值 3.9 mΩ
      通道模式 增強
      最大柵閾值電壓 2.2V
      最小柵閾值電壓 1.2V
      最大功率耗散 150 W
      晶體管配置
      最大柵源電壓 -16 V、+16 V
      每片芯片元件數目 1
      典型柵極電荷@Vgs 220 nC @ 10 V
      長度 10mm
      寬度 9.25mm
      晶體管材料 Si
      最高工作溫度 +175 °C
      暫無
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