賽米控提供混合碳化硅功率模塊如，MiniSKiiP, SEMITRANS, SEMiX 3 Press-Fit和SKiM63/93。將最新的IGBT技術(shù)和由領(lǐng)先供應商所提供的SiC（碳化硅）肖特基二極管結(jié)合在一起，以提高開關(guān)頻率，同時減少功率損耗。

可提供的混合碳化硅功率模塊電流為50A - 600A,電壓為 1200V。涵蓋三相全橋和半橋拓撲結(jié)構(gòu)。

SiC（碳化硅）肖特基續(xù)流二極管所帶來的開關(guān)損耗近乎為零, 同時能大大降低IGBT的導通損耗。這些效果可以在同一個模塊封裝里帶來更高的開關(guān)頻率，它有效地降低了對如太陽能逆變器、UPS系統(tǒng)或高頻電源的輸出端的濾波要求。而且可實現(xiàn)比標準硅功率模塊更高的輸出功率。