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訂 貨 號(hào):FDMA430NZ 品牌:安森美_Onsemi
庫存數(shù)量:10 品牌屬性:進(jìn)口
品牌商價(jià):¥0.00
環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

此單 N 通道 MOSFET 采用 Advanced Power Trench 工藝設(shè)計(jì),可優(yōu)化特殊 MicroFET 引線框架上的 RDS(ON)@VGS=2.5V 。
RDS (on) =40 M Ω @VGS =4.5 V , ID =5.0A
RDS (on) =50 M Ω @VGS =2.5 V ,識(shí)別號(hào) =4.5 A
薄型 - 最大 0.8 mm - 在新包裝中,話筒 2 x 2 mm
HBM ESD 保護(hù)級(jí)別> 2.5K V (典型)(注釋 3 )
無鹵化合物和銻氧化物
應(yīng)用
該產(chǎn)品可通用,適用于許多不同的應(yīng)用。
| 屬性 | 數(shù)值 |
|---|---|
| 封裝類型 | MicroFET 2x2 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 最大功率耗散 | 2.4 W |
| 引腳數(shù)目 | 6 |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 |