這些雙路 P 通道邏輯電平增強(qiáng)模式場(chǎng)效應(yīng)晶體管采用專有的高單元密度 DMOS 技術(shù)來(lái)生產(chǎn)。這種非常高的密度過(guò)程特別適合于最大限度地減少狀態(tài)電阻。此器件專為低電壓應(yīng)用而設(shè)計(jì)，可替代雙極數(shù)字晶體管和小型信號(hào) MOSFET 。

-25 V ， -0.41 A 連續(xù)， -1.5 A Peak 。
RDS (on) =1.1 Ω @VGS =-4.5 V ，
RDS(on) =1.5 Ω @VGS=-2.7 V
極低水平門驅(qū)動(dòng)要求，允許在 3V 電路中直接操作 (VGS(TH)< 1.5 V) 。
用于 ESD 堅(jiān)固性的門源齊納（> 6kV 人體模型）。
小型工業(yè)標(biāo)準(zhǔn) SC70-6 表面安裝封裝。
應(yīng)用
該產(chǎn)品可通用，適用于許多不同的應(yīng)用。