此單個 P 通道 MOSFET 采用 Advanced Power Trench 工藝設計，可優化 RDS(on)@VGS=-2.5V

-150 mA ， 20 V
RDS(on) =8 Ω @VGS=-4.5 伏
RDS(on) =12 Ω @VGS=-2.5 伏
ESD 保護二極管（注釋 3 ）
應用
該產品可通用，適用于許多不同的應用。
鋰離子電池組