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訂貨號：MMIX1X200N60B3 品牌：艾賽思_IXYS

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IXYS 的 XPT? 系列分立件 IGBT 采用超輕穿通薄芯片技術(shù)，可降低熱電阻和能源損耗。這些設備提供快速切換時間，具有低尾線電流，并提供各種工業(yè)標準和專有封裝。

高功率密度和低 VCE(sat)
方形反向偏置安全工作區(qū)域 (RBSOA) 高達額定擊穿電壓
短路容量，確保 10usec
正向通態(tài)電壓溫度系數(shù)
可選 Co-Pack Sonic-FRD? 或 HiPerFRED? 二極管
國際標準和專有高電壓封裝

絕緣柵級雙極性晶體管或 IGBT 是一種三端子功率半導體設備，以高效和快速切換著稱。 IGBT 通過將用于控制輸入的隔離柵極 FET 和用作開關(guān)的雙極性功率晶體管組合在單個設備中，將 MOSFET 的簡單柵極驅(qū)動特性與雙極性晶體管的高電流和低飽和電壓能力組合在一起。

暫無

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