1200 V IGBT M 系列基于溝道場截止 (TFS) 技術，設計用于在 2 至 20 kHz 切換頻率下工作的應用。這些 IGBT 具有高度優化的傳導和關斷特性以及導通損耗，特別適用于應用（例如太陽能反相器、焊接設備、UPS 和工業電動機驅動器）中的硬切換電路。
低損耗 IGBT 系列，用于高達 20 kHz 的應用
由于達到 1200 V 的擊穿電壓，因此堅固耐用，非常可靠
薄型 IGBT 模具，用于增加熱阻
正 VCE(sat) 溫度系數，具有嚴格的參數分布
優化二極管，確保快速恢復
短路耐受時間為 11 μs
嚴格的參數分布
更安全的并聯
低熱阻
反并聯二極管柔軟且可快速恢復
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 最大連續集電極電流 | 16 A @ +25°C |
| 最大集電極-發射極電壓 | 1200 V |
| 最大柵極發射極電壓 | ±20V |
| 晶體管數 | 1 |
| 最大功率耗散 | 167 W |
| 封裝類型 | TO |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 通道類型 | N |
| 引腳數目 | 3 |
| 開關速度 | 1MHz |
| 晶體管配置 | 單 |
| 尺寸 | 15.75 x 5.15 x 20.15mm |
