STMicroelectronics 650 v HB2 系列代表先進 Advanced gate field-stop 結構的演變。由于在低電流值下具有更好的 vce （ sat ）行為、以及在降低切換能量方面、 HB2 系列的傳導性能得到了優化。
最大接點溫度： tj = 175 °c
低 vce （ sat ） = 1.55 v （典型值） @ ic = 50 a
最小化尾電流
嚴格的參數分布
低熱阻
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 最大連續集電極電流 | 86 A |
| 最大集電極-發射極電壓 | 650 V |
| 最大柵極發射極電壓 | ±20V |
| 最大功率耗散 | 272 W |
| 晶體管數 | 1 |
| 封裝類型 | D2PAK (TO-263) |
| 引腳數目 | 3 |
