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      onsemi NXH350N100H4Q2F2S1G IGBT

      訂 貨 號:NXH350N100H4Q2F2S1G      品牌:安森美_Onsemi

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      onsemi NXH350N100H4Q2F2S1G IGBT
      產品詳細信息

      ON Semiconductor 三級 NPC Q2 封裝模塊是高密度集成電源模塊,結合了高性能 IGBT 和堅固的反并聯二極管。

      極其高效的溝道,采用場截止技術
      低切換損耗可減少系統功耗
      模塊設計提供高功率密度
      低電感布局
      低封裝高度
      這些設備無鉛,無鹵,無 BFR ,符合 RoHS 標準


      屬性 數值
      最大連續集電極電流 303 A
      最大集電極-發射極電壓 1000 V
      最大柵極發射極電壓 ±20V
      最大功率耗散 592 W
      晶體管數 4
      封裝類型 Q2PACK (無鉛 / 無鹵化物)
      暫無

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