這款意法半導體產品為采用先進的專有場截止型溝槽柵結構開發的 IGBT。此設備屬于 H 系列絕緣柵雙極晶體管（IGBT），可在傳導和切換損耗之間實現最佳平衡，從而最大程度地改善切換頻率轉換器的效率。此外，VCE(sat) 溫度系數略微偏正且參數分布非常緊密，可讓并聯操作更安全。
AEC-Q101 認證
高速切換系列
并聯更安全
參數分布更緊密
低熱電阻
反并聯軟快恢復二極管
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 最大連續集電極電流 | 60 A |
| 最大集電極-發射極電壓 | 650 V |
| 最大柵極發射極電壓 | 20V |
| 最大功率耗散 | 260 W |
| 晶體管數 | 1 |
| 配置 | 單 |
| 封裝類型 | H2PAK-2 |
