Infineon 的這款 EasyPACK 2B 650 V、100 A 3 級 IGBT 模塊配有 Trench/Fieldtop IGBT H3 和快速二極管以及 PressFIT / NTC。該器件采用緊湊型設計，使用便捷，性能得到了優化。該器件具備額外的優勢，如阻斷電壓能力提高到 650 V、低電感設計、低開關損耗和低 VCE (sat)。它使用 Al2O3 基片和 PressFIT 觸點技術，熱電阻低。由于隨附集成式安裝夾，該器件安裝牢固。該器件使用 IGBT HighSpeed 3 技術。
性價比最高，且降低系統成本
設計自由度高
效率最高，功率密度最高
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 最大連續集電極電流 | 85 A |
| 最大集電極-發射極電壓 | 650 V |
| 最大柵極發射極電壓 | ±20V |
| 晶體管數 | 4 |
| 最大功率耗散 | 20 mW |
