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STMicroelectronics IGBT 使用 Advanced 專有溝道柵極場(chǎng)停止結(jié)構(gòu)開發(fā)。此設(shè)備是 H 系列 IGBT 的一部分，它代表傳導(dǎo)和切換損耗之間的最佳平衡，以最大程度提高高切換頻率轉(zhuǎn)換器的效率。此外， VCE (sat) 溫度系數(shù)略為正，參數(shù)分布非常緊密，可實(shí)現(xiàn)更安全的并聯(lián)操作。

最大接點(diǎn)溫度 TJ = 175 °C
μs 耐受時(shí)間為 5 μ s
低 VCE (sat) = 2.1 V (典型值) @ IC = 50 A
嚴(yán)格的參數(shù)分布
正 VCE (sat) 溫度系數(shù)
低熱阻
反并聯(lián)二極管恢復(fù)速度非常快