ON Semiconductor 雙升壓電源模塊是包含雙升壓級的電源模塊。集成的場截止溝道 IGBT 和 SiC 二極管提供更低的傳導損耗和切換損耗，使設計人員能夠實現高效率和卓越的可靠性。
1200 V 超場截止 IGBT
低反向恢復和快速切換 SiC 二極管
1600 V 旁路和抗并聯二極管
低電感布局
可焊接引腳或壓配引腳
熱敏電阻選項，帶預應用熱接口材料，不帶預應用 TIM
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 最大連續集電極電流 | 61 A |
| 最大集電極-發射極電壓 | 1200 V |
| 最大柵極發射極電壓 | ±20V |
| 最大功率耗散 | 186 W |
| 晶體管數 | 2 |
| 封裝類型 | 箱 180BF (無鉛和無鹵化物) 壓配引腳 |
