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      威世 SIA433EDJ-T1-GE3 IGBT

      訂 貨 號:SIA433EDJ-T1-GE3      品牌:威世_Vishay

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      威世 SIA433EDJ-T1-GE3 IGBT
      產品詳細信息

      Vishay MOSFET

      Vishay 表面安裝 P 溝道 PowerPAK-SC70-6 MOSFET 是一款新時代的產品,漏極源電壓為 20V ,最大柵極源電壓為 12V。在 4.5V 的柵極源電壓下,漏極源電阻為 18mms。它的最大功耗為 19W ,連續漏極電流為 12A。它的最小和最大驅動電壓分別為 1.8V 和 4.5V。此產品經過優化,可降低切換和傳導損耗。MOSFET 提供出色的效率以及長且高效的使用壽命,而不會影響性能或功能。

      特點和優勢

      ?內置 ESD 保護,帶齊納二極管
      ? 無鹵素
      ?無鉛 (Pb) 組件
      ?低接通電阻
      ?新型熱增強型 PowerPAK SC-70 封裝
      ?工作溫度范圍 -55°C 至 150°C
      ?占地面積小
      ? TrenchFET 功率 MOSFET
      ?典型 ESD 性能為 1800V

      應用

      ?蓄電池開關
      ?充電器開關
      ?負載開關
      ? 便攜式設備

      認證

      ? ANSI/ESD S20.20 : 2014
      ? BS EN 61340-5-1 : 2007
      ?經過 RG 測試


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