ON Semiconductor F1 4Pack SiC MOSFET 模塊是電源模塊,包含一個 20 m/1200 V SiC MOSFET 全橋和一個熱敏電阻,采用 F1 封裝。
20 m/1200 V SiC MOSFET 半橋
熱敏電阻選項,帶預(yù)應(yīng)用熱接口材料,不帶預(yù)應(yīng)用 TIM
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這些設(shè)備無鉛,無鹵化物,且符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)
屬性 | 數(shù)值 |
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最大功率耗散 | 119 瓦 |
晶體管數(shù) | 4 |
封裝類型 | F1-4Pack 壓配引腳,帶預(yù)應(yīng)用熱接口材料 (TIM) (無鉛和無鹵化物) |