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      onsemi AFGB40T65SQDN IGBT

      訂 貨 號:AFGB40T65SQDN      品牌:安森美_Onsemi

      庫存數(shù)量:10             品牌屬性:

      品牌商價:¥0.00

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      onsemi AFGB40T65SQDN IGBT
      產(chǎn)品詳細信息

      使用新型現(xiàn)場停止第 4 代 IGBT 技術(shù)。AFGB40T65 SQDN 提供最佳性能,低傳導(dǎo)損耗和切換損耗,可在各種應(yīng)用中實現(xiàn)高效操作。

      VCE ( SAT ) = 1.6 V (典型值) @IC =40 A
      低 VF 軟恢復(fù)共包裝二極管
      適用于汽車
      低傳導(dǎo)損耗
      低噪聲和傳導(dǎo)損耗
      應(yīng)用
      汽車載板充電
      用于 HEV 的汽車 DC/DC 轉(zhuǎn)換器
      最終產(chǎn)品
      EV/PHEV


      屬性 數(shù)值
      最大連續(xù)集電極電流 80 A
      最大集電極-發(fā)射極電壓 650 V
      最大柵極發(fā)射極電壓 ±20V
      晶體管數(shù) 1
      最大功率耗散 238 瓦
      封裝類型 D2PAK
      安裝類型 表面貼裝
      通道類型 N
      引腳數(shù)目 3
      晶體管配置
      尺寸 10.67 x 9.65 x 4.58mm
      暫無

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