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      onsemi FGA30N120FTDTU IGBT

      訂 貨 號:FGA30N120FTDTU      品牌:安森美_Onsemi

      庫存數(shù)量:10             品牌屬性:

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      onsemi FGA30N120FTDTU IGBT
      產(chǎn)品詳細信息

      分離式 IGBT、1000V 及以上,F(xiàn)airchild Semiconductor

      IGBT 分立件和模塊,F(xiàn)airchild Semiconductor

      絕緣柵級雙極性晶體管或 IGBT 是一種三極管功率半導體設備,以高效和快速切換著稱。 IGBT 通過將用于控制輸入的隔離柵極 FET 和用作開關的雙極性功率晶體管組合在單個設備中,將 MOSFET 的簡單柵極驅(qū)動特性與雙極性晶體管的高電流和低飽和電壓能力組合在一起。


      屬性 數(shù)值
      最大連續(xù)集電極電流 60 A
      最大集電極-發(fā)射極電壓 1200 V
      最大柵極發(fā)射極電壓 ±25V
      最大功率耗散 339 W
      封裝類型 TO-3PN
      安裝類型 通孔
      通道類型 N
      引腳數(shù)目 3
      晶體管配置
      尺寸 15.8 x 5 x 20.1mm
      暫無

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