FOD 8342T -8 mm 爬電距離和間隙距離,以及 0.4 mm 絕緣距離,實現(xiàn)可靠的高電壓絕緣
3.0A Peak Output Current Driving Capability for Medium Power IGBT / MOSFET - 在輸出級使用 P 通道 MOSFET ,輸出電壓擺幅接近電源軌
20 kV/μ s 最小共模抑制
寬電源電壓范圍: 10V 至 30V
全工作溫度范圍內(nèi)的快速開關(guān)速度 - 210ns 最大傳播延遲 -65ns 最大脈沖寬度失真欠壓鎖定 (UVLO) ,具有滯后
擴展工業(yè)溫帶范圍: -40 ° C 至 100 ° C
應(yīng)用
交流和無刷直流電動機驅(qū)動器
工業(yè)逆變器
不間斷電源
感應(yīng)加熱
隔離 IGBT / 功率 MOSFET 閘極驅(qū)動器
| 屬性 | 數(shù)值 |
|---|---|
| 安裝類型 | 表面安裝 |
| 輸出設(shè)備 | IGBT,MOSFET |
| 最大正向電壓 | 1.8V |
| 通道數(shù)目 | 1 |
| 針數(shù)目 | 6 |
| 封裝類型 | SOIC |
| 典型上升時間 | 38ns |
| 最大輸入電流 | 10 mA |
| 隔離電壓 | 5 KVrms |
| 邏輯輸出 | 是 |
| 典型下降時間 | 24ns |