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      SEMIKON 賽米控 IGBT/MOSFET模塊 SEMiX303GB12E4p

      訂 貨 號:SEMiX303GB12E4p      品牌:賽米控_Semikron

      庫存數(shù)量:10             品牌屬性:

      品牌商價:¥2323.38

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      Semikron SEMiX303GB12E4p IGBT
      產(chǎn)品詳細(xì)信息

      SEMiX? 雙 IGBT 模塊

      Semikron 的雙 IGBT 模塊采用現(xiàn)代薄型 SEMiX? 封裝,適用于半橋電源控制應(yīng)用。 該模塊使用無焊接彈簧或壓配安裝觸點,允許柵極驅(qū)動器直接安裝在模塊頂部,可節(jié)省空間,且可提供更大的連接可靠性。 典型應(yīng)用包括交流反相器驅(qū)動器、UPS、電子焊接和可再生能源系統(tǒng)。
      有關(guān)合適的壓配柵極驅(qū)動器模塊,請參見 122-0385122-0387

      ? 薄型無焊接安裝封裝
      ? Trenchgate 技術(shù) IGBT
      ? VCE(sat) 具有正溫度系數(shù)
      ? 高短路電流能力
      ? 壓配引腳可用作輔助觸點
      ? UL 認(rèn)證

      IGBT 模塊,Semikron

      絕緣柵級雙極性晶體管或 IGBT 是一種三端子功率半導(dǎo)體設(shè)備,以高效和快速切換著稱。 IGBT 通過將用于控制輸入的隔離柵極 FET 和用作開關(guān)的雙極性功率晶體管組合在單個設(shè)備中,將 MOSFET 的簡單柵極驅(qū)動特性與雙極性晶體管的高電流和低飽和電壓能力組合在一起。


      屬性 數(shù)值
      最大連續(xù)集電極電流 469 A
      最大集電極-發(fā)射極電壓 1200 V
      最大柵極發(fā)射極電壓 20V
      封裝類型 SEMiX?3p
      配置 串行
      安裝類型 通孔
      通道類型 N
      引腳數(shù)目 11
      晶體管配置 串行
      尺寸 150 x 62.4 x 17mm
      暫無

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