Semikron SEMITOP? IGBT 模塊包含兩個串聯（半橋）IGBT 設備。該模塊提供各種電壓和電流額定值，且適用于各種功率切換應用，如交流變頻電動機驅動器和不間斷電源。
緊湊型 SEMITOP? 封裝
適用于高達 12kHz 的切換頻率
絕緣銅基板使用直接粘結技術
絕緣柵級雙極性晶體管或 IGBT 是一種三端子功率半導體設備，以高效和快速切換著稱。 IGBT 通過將用于控制輸入的隔離柵極 FET 和用作開關的雙極性功率晶體管組合在單個設備中，將 MOSFET 的簡單柵極驅動特性與雙極性晶體管的高電流和低飽和電壓能力組合在一起。
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 最大連續集電極電流 | 200 A |
| 最大集電極-發射極電壓 | 1200 V |
| 最大柵極發射極電壓 | ±20V |
| 封裝類型 | SEMITRANS3 |
| 配置 | 雙半橋 |
| 安裝類型 | 面板安裝 |
| 通道類型 | N |
| 引腳數目 | 3 |
| 晶體管配置 | 串行 |
| 尺寸 | 106.4 x 61.4 x 30.5mm |
