產(chǎn)品分類 
         
         
        
         
      
       
      
     
      
   
      
      
       
    
    

   
      
     
      
        
      
         
      
         
      分類：
               
       工業(yè)電氣產(chǎn)品    工業(yè)控制產(chǎn)品    傳感測(cè)量產(chǎn)品    儀表工具產(chǎn)品    工業(yè)電子產(chǎn)品    機(jī)械設(shè)備產(chǎn)品   
      
         
      
       
      
       
      
         
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      英飛凌 IRL6342PBF MOSFET
      
                  
      
                  
      
                      
       訂  貨 號(hào)：IRL6342PBF        品牌：國(guó)際整流器_IR
      
                      
       庫(kù)存數(shù)量：10                    品牌屬性：進(jìn)口
      
                      
       品牌商價(jià)：￥0.00 
      
                      
       環(huán) 球 價(jià)：
                                     登陸后可查看
                                   
                      
                  
      
                  
      
               
      
               
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      公司基本資料信息
      
   



      

      



      

      
          
   
        
      
        
      
     
      
      
      
           
      
                
        
                   
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      • 產(chǎn)品介紹 
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      • 產(chǎn)品屬性
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      • 相關(guān)資料
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      • 產(chǎn)品評(píng)價(jià)（0）
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               英飛凌 IRL6342PBF MOSFET
      產(chǎn)品詳細(xì)信息
      

        
        
      

            
            
                
                    
                        
      N 通道功率 MOSFET，30V，Infineon
      
                    
                
                
                
            
                
                
                    
      
                        
                            Infineon 系列分離式 HEXFET? 功率 MOSFET 包括 N 通道設(shè)備，采用表面安裝和引線封裝。 形狀系數(shù)可解決大多數(shù)板布局和熱設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)問(wèn)題。 在整個(gè)范圍內(nèi)，基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻減少了傳導(dǎo)損耗，讓設(shè)計(jì)人員可以提供最佳系統(tǒng)效率。
        
                        
                    
      
                
                
            

            
            
      
                
            
      

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      
            
        
      

        
        
      

            
            

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      

            
            
                
                    
                        
      MOSFET 晶體管，Infineon
      
                    
                
                
                
            
                
                
                    
      
                        
                            Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能，實(shí)現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強(qiáng)型保護(hù)功能的設(shè)計(jì)獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。 
                        
                    
      
                
                
            

            
            
      
                
            
      

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      
            

            

            
        

      
            
      
                屬性
                數(shù)值
            
      
            
                
      
                    通道類型
                    N
                
      
            
                
      
                    最大連續(xù)漏極電流
                    9.9 A
                
      
            
                
      
                    最大漏源電壓
                    30 V
                
      
            
                
      
                    封裝類型
                    SOIC
                
      
            
                
      
                    安裝類型
                    表面貼裝
                
      
            
                
      
                    引腳數(shù)目
                    8
                
      
            
                
      
                    最大漏源電阻值
                    19 mΩ
                
      
            
                
      
                    通道模式
                    增強(qiáng)
                
      
            
                
      
                    最大柵閾值電壓
                    1.1V
                
      
            
                
      
                    最小柵閾值電壓
                    0.5V
                
      
            
                
      
                    最大功率耗散
                    2.5 W
                
      
            
                
      
                    晶體管配置
                    單
                
      
            
                
      
                    最大柵源電壓
                    -12 V、+12 V
                
      
            
                
      
                    長(zhǎng)度
                    5mm
                
      
            
                
      
                    每片芯片元件數(shù)目
                    1
                
      
            
                
      
                    寬度
                    4mm
                
      
            
                
      
                    典型柵極電荷@Vgs
                    11 nC @ 4.5 V
                
      
            
                
      
                    晶體管材料
                    Si
                
      
            
                
      
                    最高工作溫度
                    +150 °C
                
      
            
        
      
             
      
              
              
              
              
              
              
            
      
            

            
      
          
      

      暫無(wú)
      
          
      
          
      
               
        
      
        
       
   
                   
      
            
      
            
      

      正在載入評(píng)論詳細(xì)...
      
            
      
            
      
        
      
     
      
     
      
   
      
    
      



  
   
   
   
   
      
        
         
    
      
    
  






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