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      NXP 恩智浦MHT2012N 12.5 W CW, 2450 MHz, 28 V Data Sheet

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      NXP 恩智浦MHT2012N 12.5 W CW, 2450 MHz, 28 V Data Sheet
      MHT2012N MHT2012N 1 RF Device Data NXP Semiconductors RF LDMOS Integrated Power Amplifier This 12.5 W CW RF power integrated circuit is designed for RF energy applications operating in the 2450 MHz
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